能不能解释一下下表三极管参数是什么含义?下面是常用三极管的参数,但有些参数不是很明白,请教大侠：型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5

能不能解释一下下表三极管参数是什么含义?下面是常用三极管的参数,但有些参数不是很明白,请教大侠：型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5
能不能解释一下下表三极管参数是什么含义?
下面是常用三极管的参数,但有些参数不是很明白,请教大侠：
型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)
3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100
3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100
3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300
3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100
3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100
3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150
3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150
C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150
C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40
C9013 SI-NPN 0.625 500 40
C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150
C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100
C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620
C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G
C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190
C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 200
2N5551 SI-NPN 0.625 600 180
2N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 100
2N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300

能不能解释一下下表三极管参数是什么含义?下面是常用三极管的参数,但有些参数不是很明白,请教大侠：型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料.
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件.
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
2、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推.
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志.S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件.
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型.A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅.
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号.两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品.
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志.A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品.
3、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱.美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型.JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品.
第二部分：用数字表示pn结数目.1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件.
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志.N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记.
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号.多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号.
第五部分：用字母表示器件分档.A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别.如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档.
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法.这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料.A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg100
意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作电流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz.