已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ad边的长度为L,整个线框的电阻为R,线框以垂直磁场方向的速度v匀速通过磁场,设ab>S,求线框通过磁场的全过程中,线框发出的热量.

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/02 14:03:03
已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ad边的长度为L,整个线框的电阻为R,线框以垂直磁场方向的速度v匀速通过磁场,设ab>S,求线框通过磁场的全过程中,线框发出的热量.
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已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ad边的长度为L,整个线框的电阻为R,线框以垂直磁场方向的速度v匀速通过磁场,设ab>S,求线框通过磁场的全过程中,线框发出的热量.
已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ad边的长度为L,整个线框的电阻为R,线框以垂直磁场方向的速度v匀速通过磁场,设ab>S,求线框通过磁场的全过程中,线框发出的热量.

已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ad边的长度为L,整个线框的电阻为R,线框以垂直磁场方向的速度v匀速通过磁场,设ab>S,求线框通过磁场的全过程中,线框发出的热量.
如图:分为三个过程:
1.bc与磁场边界左侧相切→bc与磁场右侧相切:
   φ1=0 φ2=BSL ∴△φ=BSL 
     ∵匀速  ∴t=S/v
     E感=△φ/t=BVl
    W=Q=E&sup2;t/R=B&sup2;L&sup2;v&sup3;/RS
2.bc出磁场→ad与磁场左侧相切:
   此时由于B不变,面积也不变(为SL),所以△φ=0,没有感应电流产生,没有热量产生.
3.ad与磁场左侧相切→线圈完全走出磁场
   过程同第一种情况,虽然φ在减小,但△φ没变,W仍然为B&sup2;L&sup2;v&sup3;/RS
所以Q全过程=2W=2B&sup2;L&sup2;v&sup3;/RS
答:线框通过磁场的全过程中,线框发出的热量为2B&sup2;L&sup2;v&sup3;/RS
希望对你有所帮助~有不懂的可以百度hi我~!

如图所示,已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ac边的…… 如图所示,已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ac边的长度为L,整个线框的电阻为R,线框以垂直于磁场 已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ad边的长度为L,整个线框的电阻为R,线框以垂直磁场方向的速度v匀速通过磁场,设ab>S,求线框通过磁场的全过程中,线框发出的热量. 已知磁感应强度为B的匀强磁场的宽度为S,矩形导线框ad边的长度为L,整个线框的电阻为R,线框以垂直磁场方向的速度v匀速通过磁场,设ab>S,求线框通过磁场的全过程中,线框发出的热量. [图]在真空区域内,有宽度为L的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直纸面向里,MN、PQ是磁场的边界在真空区域内,有宽度为L的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直纸面向里,MN、PQ是磁场的边 如图,磁感应强度为B的条形匀强磁场区域的宽度都是d1,相邻磁场区域间距为d2如图所示,磁感应强度为B的条形匀强磁场区域的宽度都是d1,相邻磁场区域的间距均 为d2,x轴的正上方有一电场强度 匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0垂直如图所示,匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0垂直匀强磁场射入,入射 【有答案】匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF.一电子从CD边界外侧以速率v0匀强磁场的磁感应强度为B,宽度为d,边界为CD和EF. 一电子从CD边界外侧以速率v0垂直匀强磁场射入,入射方 一束电子(电量为e),以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场中,穿过磁场时速度方向与电子...一束电子(电量为e),以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场中,穿过磁 如图所示,一束电子(电量为e)以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场中,穿透磁场时速度方向如图10所示,一束电子(电量为e)以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场 如图所示,一束电子(电量为e)以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场中,穿透磁场时速度方向如图10所示,一束电子(电量为e)以速度v垂直射入磁感应强度为B,宽度为d的匀强磁场 将边长为a、质量为m、电阻为R的正方形导线竖直向上抛出,穿过宽度为b、磁感应强度为B的匀强磁场,磁场方向 (1/2)一束带电量为e的电子以垂直于磁感应强度B并垂直于磁场边界的速度V射入宽度为d的匀强磁场中,穿出...(1/2)一束带电量为e的电子以垂直于磁感应强度B并垂直于磁场边界的速度V射入宽度为d 匀强磁场的磁感应强度为b,宽度为d,边界为xd和ef,一电子从cd边界外侧以速度v0垂直匀强磁场射入,入射方向与左边界夹角为@(指史塔),已知电子的质量为m电荷量为e,为史电子能从磁场另一侧ef 如图所示,在倾角为θ的光滑斜面上,存在着两个匀强磁场,磁场I垂直斜面向下,磁感应强度大小为B,磁场II垂直斜面向下,磁感应强度大小为2B,磁场的宽度MJ和JG均为L,一个质量为m,电阻为R,变长也为 X轴上方有磁感应强度为B的匀强磁场,下方有一磁感应强度为B/2的匀强磁场方向都垂直纸面向里,一个电子从X...X轴上方有磁感应强度为B的匀强磁场,下方有一磁感应强度为B/2的匀强磁场方向都 磁场有关如图,真空狭长区域内的匀强磁场的磁感应强度为B,方向垂直纸面向里,区域宽度为d,边界为CD和EF,速度为v的电子从边界CD外侧沿垂直与磁场方向射入磁场,入射方向和CD的夹角为γ,已知 如图所示,匀强磁场中磁感应强度为B,宽度为d ,一电子从左边界垂直匀强磁场射入 1、在图中虚线所围的区域内.存在电场强度为E的匀强电场和磁感应强度为B的匀强磁场1、在图中虚线所围的区域内.存在电场强度为E的匀强电场和磁感应强度为B的匀强磁场.已知从左方水平