杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为（ ）.A.N型半导体B.P型半导体C.电子型半导体

杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为（ ）.A.N型半导体B.P型半导体C.电子型半导体 N型半导体电子的浓度比空穴的浓度高得多,挡在两端加电压时,主要由电子定向流动形成电流?这句话对吗? 本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? 在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于什么在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于____,载流子空穴的浓度主要取决于______ 电子浓度等于空穴浓度 关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性. 当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度：A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小 半导体稳定扩散和平衡态有什么区别稳定不变的光照下,半导体中电子和空穴浓度保持不变,为什么还说半导体处于非平衡状态呢?此时产生率与复合率相等吗? 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 为什么P型半导体空穴浓度远大于自由电子浓度?不是掺入少量的杂质吗?怎么就会远大于?求真相! 为什么电子比空穴快?是半导体的谢谢 关于导带、价带的问题：P型半导体价带上面电子浓度和空穴浓度那一个大?我只知道本征半导体导带上面的电子浓度是很小的,也就是说价带上的空穴浓度是很小的.可是如果P参杂了以后,空穴 杂质半导体中什么的浓度对温度敏感 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?（本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3） P型-杂质半导体在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?导体中同样会失去电子，正电荷和负电荷同样不相等，为什么在导体中的载流子只是电子？ 当PN结外加正向电压时,由于空穴或电子中和了不能移动的杂质正负离子,使空间电荷区变窄由于空穴或电子中和了不能移动的杂质正负离子,使空间电荷区变窄,那么在杂质半导体中,空穴或自由 电子浓度和空穴浓度乘积为什么是常数? 某新型半导体的Nc=10^19每立方厘米,Nv=5×10^18,Eg=2eV,若掺入10^17的施主杂质（完全电离）,计算627℃时电子、空穴以及本征载流子的浓度.画出简化的能带图,并指出费米能级的位置.